2024年，在世界集成電路協(xié)會(huì)發(fā)布的2023年全球集成電路產(chǎn)業(yè)綜合競(jìng)爭力百強(qiáng)城市白皮書中，無錫位列第15位，國內(nèi)僅次于上海、北京。特別是無錫高新區(qū)，位列全國高新區(qū)第二、僅次于上海張江，其中，2024年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（以下簡稱“三代半產(chǎn)業(yè)”）實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值118億元、入選全省未來產(chǎn)業(yè)先行集聚發(fā)展試點(diǎn)。

三代半具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子遷移率高、熱導(dǎo)率大、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，一直被視為“后摩爾時(shí)代”實(shí)現(xiàn)芯片性能突破的關(guān)鍵技術(shù)之一，是新一代移動(dòng)通信、新能源汽車、AI 算力中心等領(lǐng)域的“新發(fā)動(dòng)機(jī)”，已成為全球集成電路產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略競(jìng)爭高地。雖然我市三代半產(chǎn)業(yè)發(fā)展初有成效，但面對(duì)當(dāng)前國際經(jīng)貿(mào)復(fù)雜環(huán)境，對(duì)比國內(nèi)重點(diǎn)城市產(chǎn)業(yè)態(tài)勢(shì)，還存在布局略顯滯后、產(chǎn)業(yè)鏈條全而不強(qiáng)、創(chuàng)新能級(jí)尚待提升、核心人才缺乏等情況，無錫要集中精力、堅(jiān)定不移匯智聚力發(fā)展三代半產(chǎn)業(yè)，把集成電路產(chǎn)業(yè)地標(biāo)推向更高。

一、發(fā)力三代半新賽道。三代半以碳化硅、氮化鎵為主要代表，資料顯示，碳化硅器件市場(chǎng)滲透率2027年預(yù)計(jì)超過20%、2029年達(dá)100億美元。2025年射頻、功率氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)超25億美元。要順應(yīng)技術(shù)迭代進(jìn)步、尊重市場(chǎng)發(fā)展規(guī)律，抓住現(xiàn)階段我市集成電路產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢(shì)，加大力度支持發(fā)展三代半產(chǎn)業(yè)。分析、借鑒先行城市做法，精心編制“十五五”專項(xiàng)規(guī)劃，支持江南大學(xué)、無錫學(xué)院、太湖學(xué)院等高校相關(guān)研究機(jī)構(gòu)建設(shè)，深化產(chǎn)學(xué)研合作。加強(qiáng)與國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）和（南京）等的合作，扎實(shí)推進(jìn)新吳區(qū)三代半省級(jí)未來產(chǎn)業(yè)先行集聚發(fā)展試點(diǎn)，持續(xù)厚植我市集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)、發(fā)展壯大三代半產(chǎn)業(yè)集群規(guī)模。

二、突出鍛長項(xiàng)補(bǔ)短板。總體而言，我市三代半產(chǎn)業(yè)，在器件制造、封裝（模組）領(lǐng)域擁有較強(qiáng)競(jìng)爭力；在襯底、外延領(lǐng)域相對(duì)較弱，而且目前國內(nèi)產(chǎn)能嚴(yán)重過剩，國家發(fā)改委已對(duì)該類項(xiàng)目加嚴(yán)窗口指導(dǎo)。要乘勢(shì)放大優(yōu)勢(shì)，緊盯三代半制造工藝和新型封裝難點(diǎn)，組織行業(yè)頭部企業(yè)實(shí)施聯(lián)合攻關(guān)，著重發(fā)展三代半器件及封裝環(huán)節(jié)，并積極提供三代半代工。在碳化硅器件領(lǐng)域，建議大力支持我市一些6英寸及以下硅基功率器件產(chǎn)線，經(jīng)適當(dāng)改造增添部分設(shè)備用來生產(chǎn)碳化硅功率器件。如華潤微電子就是利用現(xiàn)有生產(chǎn)線來發(fā)展三代半產(chǎn)品，2024年企業(yè)碳化硅和氮化鎵功率器件的銷售收入同比增長135%。材料和裝備是我市集成電路產(chǎn)業(yè)短板之一，三代半對(duì)高溫和刻蝕硬度及深寬比的要求更高，目前國內(nèi)外頭部企業(yè)并未全部涉及，建議積極探索、嵌入發(fā)展，如在材料側(cè)，目前4-6寸碳化硅襯底市場(chǎng)已較為飽和，可大力引進(jìn)國內(nèi)外頭部企業(yè)來錫建設(shè)8-12寸晶圓線。

三、大力建設(shè)三代半特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)。目前我市體現(xiàn)三代半特色的集成電路產(chǎn)業(yè)園區(qū)還是空白。要進(jìn)一步完善特色園區(qū)規(guī)劃布局，加強(qiáng)統(tǒng)籌指導(dǎo)，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)達(dá)板塊優(yōu)化提升、其它板塊規(guī)劃新建三代半產(chǎn)業(yè)園區(qū)。要按照“六個(gè)一”標(biāo)準(zhǔn)（規(guī)劃、主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)、專業(yè)隊(duì)伍、專項(xiàng)政策、創(chuàng)新平臺(tái)、產(chǎn)業(yè)基金）推動(dòng)特色園區(qū)對(duì)標(biāo)建設(shè)。

積極引育行業(yè)龍頭。加大扶持現(xiàn)有骨干企業(yè)，支持向產(chǎn)業(yè)鏈上下游拓展，組建三代半垂直整合型企業(yè)，因地制宜引進(jìn)一批擁有國際前沿技術(shù)、國內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)；同時(shí)，培育挖掘扶持一批“專精特新”企業(yè)，形成產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的自主創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)。

積極優(yōu)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)。布局三代半領(lǐng)域國家級(jí)公共服務(wù)平臺(tái)、技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)，同時(shí)充分發(fā)揮無錫國家“芯火”雙創(chuàng)基地、國家集成電路特色工藝及封裝測(cè)試創(chuàng)新中心等重點(diǎn)平臺(tái)的作用，全面提升我市三代半技術(shù)、標(biāo)準(zhǔn)、檢驗(yàn)檢測(cè)等能力；同時(shí)，積極吸引國內(nèi)外一流高校參與我市三代半領(lǐng)域的研究與開發(fā)。

積極引育高端人才。加強(qiáng)與先進(jìn)省市人才政策的比對(duì)，進(jìn)一步優(yōu)化無錫人才政策，提升對(duì)三代半領(lǐng)域人才的吸引力。如蘇州市通過實(shí)施“海鷗計(jì)劃”，支持企業(yè)以兼職、顧問等形式引進(jìn)海外高端人才，已吸引千名高端人才參與三代半研發(fā)。

四、前瞻布局第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。目前，作為技術(shù)發(fā)展的科學(xué)趨勢(shì)，以金剛石、氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體已經(jīng)破題。今年3月，杭州鎵仁半導(dǎo)體公司發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀(jì)錄。第四代半導(dǎo)體在超高壓電力電子器件、射頻電子發(fā)射器、深紫外光電探測(cè)器、量子通信和極端環(huán)境應(yīng)用等領(lǐng)域具有巨大前景。無錫要見事早、行動(dòng)快、搶先機(jī)，果斷超前決策部署第四代半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)培育。要加強(qiáng)與市內(nèi)、省內(nèi)高校相關(guān)強(qiáng)勢(shì)專業(yè)和優(yōu)質(zhì)團(tuán)隊(duì)的緊密合作，建設(shè)研發(fā)平臺(tái)、支持研發(fā)項(xiàng)目、開設(shè)相關(guān)專業(yè)培養(yǎng)專技人才，加強(qiáng)政產(chǎn)學(xué)研合作。鼓勵(lì)國企和集成電路產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)基金、引導(dǎo)社會(huì)資本積極關(guān)注第四代半導(dǎo)體企業(yè)，投早投長期。今年4月，華泰國際能源開發(fā)公司芯片級(jí)金剛石封裝基板制造總部簽約落戶江陰，一期投資13億元、三期累計(jì)總投資達(dá)50億元，助力我市成為國內(nèi)最大的第四代半導(dǎo)體芯片基板產(chǎn)業(yè)制造基地。要以此類龍頭項(xiàng)目為牽引，謀劃建設(shè)第四代半導(dǎo)體特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)，吸引產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)入駐，形成產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)。加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)，提升我市第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭力，進(jìn)一步夯實(shí)我市集成電路產(chǎn)業(yè)集群在全國、全球的領(lǐng)先實(shí)力。